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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

新项目时代背景 这工作最靠近长三边形地某祖国级半导体设备产业的发展园里,中小型企业主要的制作84英尺和124英尺晶圆,曰产量高于2万片。发生变化产能利用率完善,应有的废液外理平台已没有办法考虑环保型需求,急要提升改良。工作总注资约11000万元,开发外理技能为300吨/日,于202在一年俊工投入运营。 化工废水成分表及从何而来 该企业公司晶圆小学划片多种工序导致的废水处理方法基本一般包括下例物质: 切割器时中使用的的粉磨液残渣物,关键化学物质为二脱色硅颗粒状、表面上活力剂和有机物“抗氧化剂 晶圆表层洁净诞生的含氟生产废水,氟正离子含量在80-120mg/L 极少量天价属正离子如铜、镍等,从何而来于打磨方式划痕 有机肥料稀释剂留,分为异丙醇、异丙醇等 pH值震荡极大,平常在4-10两者之间 操作施工工艺步骤 对於工业废水性状,设汁选择"物理预净化除理+生化模式净化除理+深浅净化除理"的组合公式施工工艺: 调试池 :均衡教育水质量发电量,設置pH百度在线评估和自動加量控制系统 沥青混凝土乳浊液 :添加PAC和PAM,除掉浮窗物和溶液化合物 气浮单元测试卷 :适用溶气气浮加工制作工艺 进每一步清掉很小科粒和一部分有机化学物 生物化学治理 :用MBR膜生物学生理物反应器,飞灰浓度值持续在8000-10000mg/L 深层次办理 :活性氧炭粘附+反渗透膜法技术,狠抓留水考核标准 污泥处理处理 :板框淤泥压滤机脱水器,淤泥含水分率下降60%下 治理效用 程序可靠启用后,出水出水饮用水质全部实现《电子厂工艺水水大气污染物废气量标准规范》(GB39731-2020)越来越废气量标准值符合要求: COD<30mg/L 氟阴离子<5mg/L 透明桌面物<10mg/L 巨资属各类因素均降至最大限度 创业项目去年可减小破坏物排放物量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率做到75%之上,为企业公司节俭水电费花费约140万元/年。

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